太阳能电池元件和太阳能电池元件的制造方法

太阳能电池元件（1）具备基板（2）、氧化膜（3）和多晶硅层（4）。基板（2）具有第1区域（21），所述第1区域为第1导电类型的半导体的区域。氧化膜（3）与第1区域（21）相接。多晶硅层（4）与氧化膜（3）中的与第1区域（21）相反侧的面相接。多晶硅层（4）含有掺杂剂。多晶硅层（4）包含第2区域（41）。第2区域（41）为多晶硅层（4）中的与氧化膜（3）相接的氧化膜侧的区域。在从第2区域（41）起经由氧化膜（3）至第1区域（21）为止的区域中，从多晶硅层（4）中的与基板（2）相反侧的表面起朝向基板（2）的方向上的掺杂剂的浓度的分布具有最大的第1峰（Pk1）和第2峰（Pk2）。在掺杂剂的浓度的分布中，第2峰（Pk2）位于在从第1区域（21）起经由氧化膜（3）朝向第2区域（41）的方向上与显示第1峰（Pk1）的位置相距3nm以上的位置。掺杂剂为第1导电类型或与第1导电类型不同的第2导电类型的掺杂剂。