Si/SiGe EPI堆叠的减少的应变及停止层

一种半导体装置及其制造方法。提供了一种基板。在基板的顶部上形成至少一个硅层。在至少一个硅层的顶部上形成至少一个硅锗层。至少一个硅锗层包括至少一种n型掺杂剂。形成具有至少一个硅层及至少一个硅锗层的半导体装置。