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案件記録
一种铜纳米线/ZnCdS纳米片材料的制备方法和光热转换、光催化、抗菌应用
発明有効
8請求項 · 3 独立
§ Ⅰ
案件概要
発明者
胡衎; 谭思杰
IPC分類
B22F 1/12 (2022.01)C01G 11/00 (2006.01)B22F 9/24 (2006.01)B22F 1/054 (2022.01)B82Y 30/00 (2011.01)B82Y 40/00 (2011.01)B82Y 20/00 (2011.01)B01D 53/86 (2006.01)B01D 53/72 (2006.01)B01J 27/04 (2006.01)B01J 35/39 (2024.01)A01N 59/20 (2006.01)A01N 59/16 (2006.01)A01P 1/00 (2006.01)A01P 3/00 (2006.01)
本发明属于纳米功能材料技术领域,具体公开了一种铜纳米线/ZnCdS纳米片材料的制备方法和光热转换、光催化、抗菌应用。本发明通过单宁酸制备了具有缺陷的铜纳米线,缺陷位点通过静电吸引或配位作用捕获Zn、Cd,在铜纳米线表面负载ZnCdS纳米片,制得铜纳米线/ZnCdS纳米片材料,高导电率的铜纳米线与ZnCds形成大量界面结构,兼具高效光热转换性能、宽光谱光催化活性和协同抗菌效应,具有制备工艺简单、成本低、环境友好等优势。
外部リソース