基于多参数反馈控制的碳化硅CMP抛光液动态调节方法及系统

本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种基于多参数反馈控制的碳化硅CMP抛光液动态调节方法及系统，包括：实时采集抛光液的氧化还原电位、pH值和浊度数据；将传感器数据输入边缘计算平台进行滤波和标准化处理；基于模糊PID控制算法建立动态调节模型，以工艺状态指数为控制参数切换依据；驱动高精度执行机构完成氧化剂、pH调节剂和分散剂的动态补加，实现抛光液成分的闭环控制。本发明能够实时监测和自动调节抛光液状态，有效解决了传统开环控制方式下的参数漂移和人工干预滞后的问题，保证了碳化硅抛光工艺的稳定性和一致性，提升了抛光质量，同时降低了抛光液的浪费和维护成本。