一种化合物半导体材料的切割方法

本发明提出了一种化合物半导体材料的切割方法，包括：S10，获取待切割化合物半导体材料的力学特性参数；S20，当力学特性参数小于第一阈值时，采用内圆切割法；当力学特性参数大于等于第一阈值，且小于第二阈值时，根据加工需求条件，选择采用内圆切割法或多线切割法；当力学特性参数大于等于第二阈值时，采用多线切割法。本发明建立了材料力学特性数据与不同切割方法之间的对照关系，为化合物半导体切割提供了筛选标准，实现了高效筛选的同时，提高了切割过程的稳定性，降低了碎片率，减少了材料的浪费；而且，该方法操作过程简洁明了，对设备和操作人员的技能要求不高，适合于脆性化合物半导体加工工程领域的大规模生产应用。