一种高纯度单壁碳纳米管的制备方法

本发明公开了一种高纯度单壁碳纳米管的制备方法，包括：循环执行生长脉冲与蚀刻‑弛豫脉冲：生长脉冲供给碳源气体；蚀刻‑弛豫脉冲供给二氧化碳等蚀刻气体以清除催化剂表面的无定形碳副产物。其核心在于，在蚀刻期间在线监测指示性产物的信号，并根据该信号通过反馈控制系统自适应调整下一生长脉冲的持续时间。本发明还公开了适于该方法的催化剂，其包含负载于氧化镁载体上的铁基活性组分，铁元素质量负载量为0.5‑2.0%。本发明通过实时调控生长条件，将催化剂活性维持在最佳状态，有效延长其寿命，从而显著提高单壁碳纳米管的纯度与产率，并增强了制备过程的可控性与重复性。