一种石墨的深度提纯方法

本发明公开了一种石墨的深度提纯方法，包括：将石墨置于双辉等离子冶金炉中，抽真空；通入氩气或氩气和氮气，维持真空压力20～100Pa；开启双辉等离子偏压电源，将石墨加热至2800℃以上并保温，将杂质通过高温物理气化除去，达到所需纯度。本发明采用上述的一种双辉等离子冶金方法深度提纯石墨，双辉等离子冶金炉采用超高纯石墨或C/C复合材料作为源极、工件极和聚能环，通过空心阴极放电效应和聚能环的保温与约束作用，可以将石墨加热至2800℃以上并保温足够长时间，不采用氢气和卤素烷烃类气体，仅依靠高温物理气化方法去除杂质，达到对石墨的深度提纯并满足第三代半导体制备等要求，本发明设备简单、尾气不需要处理、安全环保。