一种高纯铈硅合金及其制备方法

本发明公开了一种高纯铈硅合金及其制备方法，所述高纯铈硅合金包括：铈和硅，铈的含量为60wt％～80wt％，硅的含量为20wt％～40wt％，所述铈硅合金的纯度≥99.99％，该铈硅合金中杂质Fe含量≤5ppm，杂质Ni含量≤3ppm，杂质Al含量≤5ppm，气体杂质含量≤100ppm，余量杂质≤40ppm。本发明提供一种具有特定物相组成、低缺陷率、纯度≥4N的铈硅合金，能满足半导体、高端电子等领域对材料的严苛要求。