一种用于高频等离子体电容真空腔体的CaO–SiO₂–Al₂O₃–B₂O₃–Fe₂O₃–Na₂O/K₂O复合介质陶瓷材料及其制备方法

本发明属于高频等离子体与电介质材料技术领域，具体涉及一种用于高频等离子体电容真空腔体的CaO–SiO–AlO–BO–FeO–NaO/KO复合介质陶瓷材料及其制备方法。该材料由CaO、SiO、AlO、BO、FeO、NaO和KO按比例配制，经820–900℃液相烧结形成致密玻璃陶瓷基体。材料在1MHz条件下的介电常数ε为20–35，介电损耗tanδ小于1×10，并含0.5–1.0wt％有机相以提高韧性与热稳定性。本发明材料具有优异的气密性、抗热冲击性和高频稳定性，可在1MHz–100MHz范围内保持高Q值谐振特性，适用于高频等离子体电容真空腔体、真空电介质结构件及高频能量储存与传输系统中，作为绝缘介质和结构支撑材料使用。