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기록
一种低电场下高储能密度的Nd/Sm/Co/Sc/Sn掺杂BSBNT基陶瓷材料及其制备方法
발명유효
5청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
李东旭; 杨林飞; 沈宗洋; 俞崇文; 王竹梅
IPC 분류
C04B 35/475 (2006.01)C04B 35/622 (2006.01)H01G 4/12 (2006.01)
本发明公开了一种低电场下高储能密度的Nd/Sm/Co/Sc/Sn掺杂BSBNT基陶瓷材料及其制备方法，针对(BiNa)(BaSr)TiO陶瓷材料A位的Bi、Na、Ba、Sr离子，采用具有12配位的Nd、Sm组成复合高价离子[NdSm]进行掺杂取代，针对B位的Ti离子，采用具有6配位的Co、Sc、Sn组成复合低价离子[CoScSn]对其进行掺杂取代，通过上述复合掺杂改性，在保持高、降低、提高单位电场有效储能密度的同时，提升介电温度稳定性，从而提供一种新型的、低电场下综合电性能优良的、环境友好型储能陶瓷材料。