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案件記録
一种低电场下高储能密度的Y/La/Zn/Sc/Hf掺杂BSBNT基陶瓷材料及其制备方法
発明有効
5請求項 · 3 独立
§ Ⅰ
案件概要
発明者
李东旭; 俞崇文; 沈宗洋; 杨林飞; 王竹梅
IPC分類
C04B 35/49 (2006.01)C04B 35/622 (2006.01)H01G 4/12 (2006.01)
本发明公开了一种低电场下高储能密度的Y/La/Zn/Sc/Hf掺杂BSBNT基陶瓷材料及其制备方法，针对(BiNa)(BaSr)TiO陶瓷材料A位的Bi、Na、Ba、Sr离子，采用具有12配位的Y、La组成复合高价离子[YLa]进行掺杂取代，针对B位的Ti离子，采用具有6配位的Zn、Sc、Hf组成复合低价离子[ZnScHf]对其进行掺杂取代，通过上述复合掺杂改性，在保持高、降低、提高单位电场有效储能密度的同时，提升介电温度稳定性，从而提供一种新型的、低电场下综合电性能优良的、环境友好型储能陶瓷材料。
外部リソース