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기록
一种低介电SiOC陶瓷粉体及其制备方法与应用
발명유효
10청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
张广淇; 曹家凯; 张建平; 徐东方; 薛勇; 韩小妮; 徐浚杰
IPC 분류
C04B 35/56 (2006.01)C04B 35/64 (2006.01)
本发明涉及无机材料技术领域,尤其涉及一种低介电SiOC陶瓷粉体及其制备方法与应用。本发明提供的低介电SiOC陶瓷粉体具备低介电特性以及高绝缘性,介电损耗角正切值<0.0010,表面电阻>4×10Ω,体积电阻>5×10Ω,电导率Ec<10μS/cm,低介电SiOC陶瓷粉体晶型为无定型相,无碳的结晶峰,白度<5%,密度≥2.0g/cm。本发明制备的低介电SiOC陶瓷粉体具备低介电特性以及高绝缘性,并且低介电SiOC陶瓷粉体晶型为无定型相,无碳的结晶峰,实施例的评价结果符合高频高速电路、封装等电子级场景用低介电SiOC陶瓷粉体需求。