一种高导热氮化硅陶瓷基板及其制备方法

本发明属于陶瓷材料制备技术领域，提供了一种高导热氮化硅陶瓷基板及其制备方法；本方法通过共沉淀煅烧法制备高熵氧化物烧结助剂，并化学合成钛杂化聚碳硅烷作为功能助剂，同时对氮化硅粉体进行表面包覆改性；将改性氮化硅粉体与上述两种助剂均匀混合、流延成型得到素坯，对素坯进行多阶段气压烧结，烧结程序调控气氛、压力和温度，分步完成低温处理、真空烧结、高压致密化和高温高压烧结，并在降温阶段实施特定退火处理，本发明利用复合助剂的协同效应与精密的烧结制度，有效促进了氮化硅晶粒生长并优化了晶界相，使制备的氮化硅陶瓷基板结构高度致密、晶界纯净，实现了优异的导热性能。