导电氮化硅复合陶瓷及其制备方法和应用

本申请公开导电氮化硅复合陶瓷及其制备方法和应用。一种制备导电氮化硅复合陶瓷的方法，包括：对第一陶瓷粉体进行表面氧化处理，以得到具有氧化膜层的第一陶瓷粉体；将第二陶瓷粉体与具有氧化膜的第一陶瓷粉体进行混合处理，以得到混合物；在1700℃‑2500℃条件下，对混合物进行加热处理，以得到前驱体；对前驱体进行烧结处理，以得到导电氮化硅复合陶瓷；其中，第一陶瓷粉体包括α‑SiN，第二陶瓷粉体包括金属氧化物陶瓷，氧化膜层包括氧化硅，氧化膜层具有活性位点；导电氮化硅复合陶瓷在室温下的体积电导率不低于1×10S/m，导电氮化硅复合陶瓷在1000 ℃下的体积电导率不低于1×10S/m。本申请制备的导电氮化硅复合陶瓷兼具优良力学性能与高导电性。