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기록
氰基化喹喔啉基n型高分子半导体材料及其制备方法与应用
발명유효
10청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
郭旭岗; 马苏翔; 塞尔吉奥·加梅斯·巴伦苏埃拉; 安明伟; 孙维朋
IPC 분류
C08G 61/12 (2006.01)H10K 85/10 (2023.01)H10K 10/46 (2023.01)H10N 10/856 (2023.01)
本发明提供了氰基化喹喔啉基n型高分子半导体材料及其制备方法与应用,其中,氰基化喹喔啉基n型高分子半导体材料的化学结构通式为:在该n型高分子半导体材料中,喹喔啉作为基体,其具有好的溶解性和平面的骨架结构,氰基基团的引入显著降低了所述喹喔啉的缺电性,使所制备的n型高分子半导体材料的分子前线轨道能级更低以及光电性质更为优异,从而在有机场效应晶体管、有机热电或有机太阳能电池等领域展现出出色的应用潜力。