一种含茚满环结构的聚醚酰亚胺电介质薄膜及其制备方法和应用

本发明涉及电介质材料技术领域，尤其涉及一种含茚满环结构的聚醚酰亚胺电介质薄膜及其制备方法和应用。本发明提供的含茚满环结构的聚醚酰亚胺电介质薄膜，由含有式I所示链段的二胺单体和二酐单体经聚合反应和酰亚胺化反应得到。本发明提供的聚醚酰亚胺电介质薄膜具有较高的室温和高温击穿场强，同时具有良好的高温储能性能，且制备方法简单，适合工业化应用。式I