一种耐高温高储能密度含硅聚酰亚胺电介质薄膜材料及其制备方法

本发明公开了一种耐高温高储能密度含硅聚酰亚胺电介质薄膜材料及其制备方法，该耐高温高储能密度含硅聚酰亚胺电介质薄膜材料由含硅二胺、芳香族含氟二胺与芳香族含氟二酐单体先进行亲核取代反应得到含聚酰胺酸的反应液，再制膜后进行亚胺化反应得到。本发明提供的耐高温高储能密度含硅聚酰亚胺电介质薄膜材料具有优良的介电性能、耐热性、柔韧性及储能性能，其通过分子级均匀的硅氧烷共聚结构，实现了在150‑200℃极端条件下击穿强度与储能密度的协同、非线性提升，性能远超传统聚酰亚胺及物理共混复合材料，适用于苛刻工作环境。