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案件記録

一种稀土掺杂垂直磁各向异性氧化物薄膜及其制备方法

発明有効
10請求項 · 1 独立
§ Ⅰ

案件概要

発明者

陈学刚; 刘道龙; 邱宇浩; 蔡胜豪; 张怡

IPC分類

C23C 14/08 (2006.01)C23C 14/35 (2006.01)C23C 14/58 (2006.01)C04B 35/01 (2006.01)C04B 35/622 (2006.01)

本发明公开了一种稀土掺杂垂直磁各向异性氧化物薄膜及其制备方法,涉及硬磁稀土元素掺杂氧化物薄膜材料领域,其具有(001)面晶体取向,包括衬底和薄膜层,所述衬底为MgAlO(001),所述薄膜层为LaNiCoO(001)。本发明所述的一种稀土掺杂垂直磁各向异性氧化物薄膜及其制备方法,能够克服离子半径尺寸不匹配带来的晶格应变,将镧元素掺杂进入尖晶石氧化物NiCoO的晶体结构中,通过采用射频磁控溅射的制备工艺,采用LaNiCoO和LaNiCoO靶材,制备出一系列不同厚度的LaNiCoO和LaNiCoO薄膜,所得薄膜具有稳健的垂直磁各向异性,居里温度在室温以上并且具有优秀的导电性,薄膜的性能好。

外部リソース