用于光掩模基板的铬系涂层及其制备方法、光掩模和半导体元件

本申请涉及半导体技术领域，公开了一种用于光掩模基板的铬系涂层及其制备方法、光掩模和半导体元件，该铬系涂层为纯铬涂层，具有单一微观结构或复合微观结构；其中，单一微观结构包括非晶态、多晶态及非晶‑纳米晶混合态的任一种；复合微观结构包括非晶态、多晶态及混合态的至少两种；混合态是指非晶向多晶转变的过渡态微观结构。通过调控纯铬靶材的微观结构，该用于光掩模基板的铬系涂层在超薄厚度下能够满足193nm波长处单位厚度光学密度的设计目标，既避免了厚铬层导致的三维掩模效应，又解决了薄铬层遮光不足的矛盾。同时这种基于纯铬材质辅以磁控溅射电流调控的方式，无需复杂反应气体系统，工艺窗口宽且重现性好，适合工业化批量生产。