一种钌溅射靶材的制备方法

本发明涉及磁控溅射技术领域，提供了一种钌溅射靶材的制备方法。本发明将钌粉依次进行通氢还原处理、破碎和过筛，得到还原钌粉；将还原钌粉依次进行压制成型、冷等静压处理和烧结处理，得到钌溅射靶材。本发明通过“通氢还原‑氢气烧结”的双重除氧机制，结合冷等静压处理与烧结工艺参数的协同调控，有效解决了传统粉末冶金工艺中钌溅射靶材氧含量高、晶粒取向随机的技术难题。实施例结果表明，本发明制备的钌溅射靶材可实现以下性能指标：纯度≥99.95%、氧含量≤20 ppm、平均晶粒尺寸≤2μm、致密度≥99%，且能稳定形成所需的特定晶体学取向，为后续磁控溅射制备高性能薄膜奠定基础。