一种磁控溅射法制备Sn-Zn-C复合负极材料的方法

本发明涉及电池材料技术领域，具体为一种磁控溅射法制备Sn‑Zn‑C复合负极材料的方法，包括将铜箔基底进行洁净处理，以及采用磁控溅射技术将SnZn合金和石墨沉积在铜箔基底上；铜箔基底的洁净处理为：将铜箔基底置于有机溶剂中后超声清洗，真空干燥；在铜箔基底进行磁控溅射的顺序为：石墨、SnZn合金和石墨。本发明方法将石墨、SnZn合金、石墨沉积在铜箔上，形成两层石墨夹一层SnZn合金的“三明治”结构的Sn‑Zn‑C复合负极。铜箔上的活性物质致密、均匀而且坚固，无需浆料制备，不含导电剂和粘结剂，100%活性物质，解决了现有技术中石墨负极理论比容量低的问题，并缓解了Sn负极在循环过程中的体积膨胀问题。