一种高纯锗探测器电极制备方法

本发明涉及电极制备技术领域，且公开了一种高纯锗探测器电极制备方法，包括以下具体步骤，S1：磁控靶与基材的固定：将环形的靶材安装在磁控靶上，环状的基材夹持固定在定位条之间，使得基材套设在靶材的外部；S2：基材内环竖直面的镀膜：使得基材水平套设在靶材外部，驱动基材上下往复运动，从而对基材内环竖直面进行均匀的镀膜；S3：基材内环水平面的镀膜：将基材倾斜套设在靶材外部，使得基材内环的水平面发生倾斜，与靶材形成夹角，驱动倾斜的基材转动，对基材内环水平面进行均匀的镀膜，便于对环形基材电极的内环进行镀膜，从而提高环形电极制备的效率。