一种石墨件表面沉积碳化硅涂层工艺

本申请涉及一种石墨件表面沉积碳化硅涂层工艺，其特征在于：包括如下步骤：S1、将清洗后的石墨件放置在沉积室中，关闭腔室，进行抽真空；S2、在石墨件表面沉积过渡层，S3、在沉积室内通入双前驱气体、氢气与氩气，在过渡层表面沉积得到碳化硅层；S4、停止通入气体，保温一段时间后，使用惰性气体等离子轰击表面进行蚀刻，继续保温后，得到产品；双前驱气体包括甲基三氯硅烷与甲基硅烷。本申请具有改善碳化硅涂层与石墨件表面的结合强度的效果。