抑制腔室内壁膜层剥落的方法及半导体工艺设备

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种抑制腔室内壁膜层剥落的方法及半导体工艺设备。抑制腔室内壁膜层剥落的方法包括：第一预沉积步，在工艺腔室的内壁预沉积应力缓冲层，应力缓冲层的成分为SiO、SiON、SiCO或PSG；第二预沉积步，在工艺腔室的内壁预沉积氮化硅膜层。本发明提供的抑制腔室内壁膜层剥落的方法及半导体工艺设备，能够很好地抑制预沉积膜层龟裂、剥落，从而，能够减少工艺腔室内的颗粒数量，且腔室内壁不易因被预沉积膜层拉扯而出现裂纹，还可延长腔室寿命，改善腔室内壁粗糙度，修复腔室内壁表面损伤的作用。进而，可以优化晶圆表面薄膜的膜厚均一性，并可获得稳定的成膜速率，产品良率较高。