用于沉积高密度和高拉伸应力的膜的系统和方法

半导体处理的示例性方法可包括将含硅前驱物、含氮前驱物和双原子氢流入半导体处理腔室的处理区域。基板可以被容纳在半导体处理腔室的处理区域内。方法还可以包括形成含硅前驱物、含氮前驱物和双原子氢的等离子体。等离子体可以在15 MHz以上的频率下形成。方法还可以包括将氮化硅材料沉积在基板上。