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기록

用于增强化学气相沉积的反应腔及等离子体均匀化方法

발명유효
7청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

刘成坤; 肖斌; 徐文州; 万义茂; 云飞; 汤应辉

IPC 분류

C23C 16/509 (2006.01)C23C 16/34 (2006.01)

本发明涉及气相沉积技术领域,且公开了用于增强化学气相沉积的反应腔,包括腔体主体,所述腔体主体的两端分别设置有气体入口和抽气口,所述腔体主体的内壁表面设置有绝缘屏蔽层,所述腔体主体的内壁环绕设置有磁场增强组件,靠近腔体主体内壁底部设置有载物台,所述腔体主体的内壁靠近上端设置有子电极,所述腔体主体包括圆柱形和矩形,所述载物台内部集成加热装置,磁场增强组件通过径向磁场约束等离子体,减少与腔壁的碰撞损耗,使边缘区域等离子体密度提升20%‑30%;分布式射频电极可实现分区功率调控,结合实时监测数据动态补偿,使硅片表面薄膜厚度均匀性误差控制在±2%以内。