一种高度各向异性及侧壁平滑的铌酸锂及其制备方法

本发明公开了一种高度各向异性及侧壁平滑的铌酸锂及其制备方法属于半导体工艺技术领域。所述的制备方法包括：通过采用典型的反应蚀刻，保留反应离子束刻蚀时更高选择性的优势；加入牺牲掩模SOH，以隔离具有初始锥形轮廓的铌酸锂层的顶部和侧壁；通过增加顶部金属硬掩膜厚度，提升其在后续刻蚀中的掩膜预算；最后采用离子束刻蚀包括再沉积层、带金属种子的锥形铌酸锂结构的侧壁，通过零角度刻蚀处理，最终协同实现垂直的侧壁形貌和光滑的侧壁表面，得到高度各向异性及侧壁平滑的铌酸锂。本发明实现铌酸锂顶部区域与侧壁区域的分离并修复去除重沉积层后的侧壁粗糙度问题，获得高度各向异性及侧壁平滑的铌酸锂。