一种光电磁场耦合制备四氧化三钴的方法

本发明公开了一种光电磁场耦合制备四氧化三钴的方法，包括如下步骤：1）在三电极体系中，引入钴源溶液，在光照和外加磁场条件下，在半导体光催化材料上电沉积，生长氢氧化钴材料；2）将所得复合材料进行退火处理，得四氧化三钴纳米片材料。本发明采用光电磁场耦合的方法在半导体光阳极材料表面生长四氧化三钴助催化剂，所得四氧化三钴材料在半导体材料表面分布均匀、尺寸可调，并有利于在四氧化三钴内部形成定向电子转移路径，催化性能优异；所需沉积电压较小，沉积时间短，可大规模制备；将所得四氧化三钴材料用作助催化剂，在中性电解液甚至海水中，仍可表现出较优异的光电催化水分解性能，适用性广。