抑制氧化镓单晶生长中坩埚氧化和原料分解的装置及方法

本发明公开抑制氧化镓单晶生长中坩埚氧化和原料分解的装置及方法，装置包括炉体、铱金坩埚、保温层、感应线圈和提拉机构等，在所述铱金坩埚与所述保温层之间设有温度动态调控系统，所述温度动态调控系统用于实时监测所述铱金坩埚以及所述内腔的温度分布，并通过反馈温度调节所述感应线圈的加热频率；所述内腔中靠近所述铱金坩埚处设有熔体分解监测系统，用于实时检测所述内腔中镓原子浓度和氧气分压变化；所述炉体内还设有气氛主动调节系统。本装置不仅能够获取氧化镓单晶，而且能够解决因高温环境导致的坩埚氧化、熔体分解及晶体质量不稳定的问题；通过进行动态监测和调控，降低铱金坩埚的氧化和腐蚀损耗，同时获得大尺寸、高质量的β‑GaO单晶。