碳化硅晶体的生长系统以及籽晶固定和晶体生长的方法

本申请公开了碳化硅晶体的生长系统以及籽晶固定和晶体生长的方法。该生长系统包括热场装置，热场装置包括：籽晶固定件、导流筒、外环件、坩埚和石墨纸，导流筒和外环件设置在籽晶固定件的下侧；坩埚设置在导流筒的下方，石墨纸设置在坩埚和导流筒之间，且石墨纸、导流筒和籽晶固定件共同限定出碳化硅晶体生长腔室，石墨纸和坩埚共同限定出碳化硅粉料腔室；籽晶固定件朝向碳化硅晶体生长腔室的一侧设置有碳化硅籽晶。本申请可将碳化硅籽晶粘接的烧结固化工艺直接合并到碳化硅晶体的生长工艺中，减少碳化硅籽晶处理的步骤，防止多道工艺对碳化硅籽晶的粘接效果及生长面缺陷的影响。同时，可提高碳化硅籽晶的固化烧结温度及时间，增强其粘接效果。