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案件記録
一种溅射外延装置及其应用
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§ Ⅰ
案件概要
発明者
张顺达; 曹彦伟; 张如意
IPC分類
C30B 23/02 (2006.01)C30B 23/06 (2006.01)C23C 14/56 (2006.01)C23C 14/34 (2006.01)
本发明公开了一种溅射外延装置,包括:真空腔室;溅射单元;衬底承载单元;以及抽真空系统;所述抽真空系统,包括主真空泵组、副真空泵组和真空管路;所述主真空泵组通过阀门与所述真空腔室相连;所述副真空泵组通过所述真空管路与所述真空腔室相连,所述真空管路上设置有阀门,且所述真空管路的长径比为0.1‑30,在薄膜生长期间,使用副真空泵组和真空管路在真空腔室制造差分真空,使物理气相沉积能够在0.005‑1 Torr的宽范围工作气压下进行,将所述溅射外延装置用于生长薄膜时,可以利用副真空泵组和真空管路调控工作气体流场,实现高质量外延薄膜生长,还能避免被溅射镀膜粒子污染。
外部リソース