硅衬底上氮化铝的生长方法

本申请公开了一种硅衬底上氮化铝的生长方法，该硅衬底上氮化铝的生长方法包括：提供硅衬底；在硅衬底上形成缓冲层；在硅衬底上生长氮化铝；其中，缓冲层位于硅衬底与氮化铝之间，缓冲层为单层碳化硅薄膜。缓冲层的制作方法包括：对硅衬底进行高温氢气退火；在预设温度下向反应腔中通入预设流量的三甲基铝；其中，预设流量小于0.1umol/min。采用超低流量三甲基铝在高温下反应，通过自限制反应机制精确控制单层碳化硅的形成，为后续氮化铝的高质量生长奠定了良好的基础，提升了硅衬底上氮化铝的生长质量。