一种MXene抑制锡晶须生长的方法

本发明公开了一种MXene抑制锡晶须生长的方法，包括以下步骤：（1）制备空位有序的i‑MXene；球磨TiSnC粉末；（2）将i‑MXene、TiSnC粉末和无铅锡基焊料粉末混合均匀，压制成块、打磨并保温。i‑MXene为MoCT、WCT、VCT、NbCT中的任意一种或多种，其中，T为表面官能团。本发明能够有效利用i‑MXene中的空位，捕获活性锡原子，从而抑制锡晶须的生长，并助力无铅锡基焊料体系的可靠性。制备方法方便、快捷，可有效利用i‑MXene中大量空位，且具有绿色、安全的特点。