一种碳化硅晶体生长炉和晶体生长方法

本申请涉及晶体生长技术领域，尤其是涉及一种碳化硅晶体生长炉和晶体生长方法包括：炉体、加热器以及坩埚，坩埚包括：坩埚本体、盖体、扩径单元以及控流单元，扩径单元连接于坩埚本体的内壁，扩径单元自盖体向下延伸且呈环形设置；扩径单元靠近坩埚本体中心的一侧设有引导斜面，引导斜面自上而下倾斜设置，使引导斜面与坩埚本体内壁之间形成自上而下逐渐扩大的导流空间，导流空间位于碳化硅籽晶的正下方；控流单元包括：凸起，凸起连接于引导斜面上，凸起用于阻碍沿引导斜面上升的碳化硅气相。通过对边缘气相传输进行绕流控流，达到了提高碳化硅晶体生长品质的技术效果。