一种半导体氮化物薄膜材料及其制备方法

本发明涉及一种半导体氮化物薄膜材料及其制备方法，属于半导体薄膜材料技术领域。该半导体氮化物薄膜材料的组分包括化学式为AlSiNO的化合物，其中，、；化合物为六方晶系，晶体空间群为P6mc。该半导体氮化物薄膜材料的制备方法包括如下步骤：清洗基底；以Al或者Al和Si作为靶材，在氩气和氮气混合气体环境中，通过高功率脉冲磁控溅射方式对靶材进行溅射，以在基底上沉积得到半导体氮化物薄膜材料。该半导体氮化物薄膜材料同时具有优异的绝缘性、热稳定性、耐磨性和疏水性，能够满足多种复杂环境下的应用要求。