一种分子束外延生长中Ⅲ族元素速率定标方法

本申请公开了一种分子束外延生长中Ⅲ族元素速率定标方法，涉及分子束外延生长技术领域，该方法包括：步骤1、InP衬底、GaAs衬底或InAs衬底的表面氧化膜脱附；步骤2、在脱膜完毕的衬底上生长与衬底微失配的InAsP、GaAsP或AlAsP外延层材料；步骤3、测试外延片的X射线衍射曲线，通过拟合得到InAsP、GaAsP或AlAsP外延层材料的生长厚度，计算出In、Ga或Al的生长速率；本申请的技术方案与现有技术相比，优点是外延层为单一Ⅲ族元素，测试精度高，可以精确获得In、Ga、Al源的束流速率信息，满足分子束外延中生长厚度精确性要求高的材料结构生长，提高企业生产竞争力。