一种利用分子束外延法制备二碲化钯单晶薄膜的方法

本发明公开一种利用分子束外延法制备二碲化钯单晶薄膜的方法，属于纳米材料制备技术领域；包括：碳化硅衬底超声清洗后放入生长腔中，并进行退火处理，除去吸附在衬底表面的杂质；通过加减电流的方式，对退火后的碳化硅衬底进行多次flash处理，得到双层石墨烯表面，之后将衬底温度降低至生长温度；将Pd和Te置于不同的蒸发源内加热，通过控制生长时的蒸发温度，调节Pd和Te的原子束流速比，Pd和Te通过共沉积的方式在衬底上生长，同时打开Pd源和Te源的挡板；生长完成后，关闭Pd源和Te源挡板，并对衬底进行退火。该方法可以精准地调控薄膜的制备条件，从而达到薄膜材料的可控生长。