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案件記録
一种填充方钴矿晶体及其制备方法
発明有効
10請求項 · 2 独立
§ Ⅰ
案件概要
発明者
陈宇翔; 叶鹏达; 韩佳佚; 李月美; 田瑞丰; 吴凤; 何万里; 李远哲; 乔佳斌; 陈洁; 金美玲; 李翔
IPC分類
C30B 29/52 (2006.01)G01K 7/22 (2006.01)H10N 10/852 (2023.01)H10N 10/01 (2023.01)C30B 1/12 (2006.01)
本发明涉及一种填充方钴矿晶体及其制备方法，属于方钴矿材料技术领域。所述晶体的化学式为TeRhSb，x为0.1‑1；所述晶体为立方晶系，空间群为Im‑3(NO.204)，晶格常数α＝β＝γ＝90°，晶体原胞体积为理论密度为8.1‑8.5g/cm。所述晶体随着温度降低发生半导体‑绝缘体转变，在低温下具有敏感且较高的电阻率，是一类潜在的能源材料，在热电转换、温度传感等领域具有明显应用价值。
外部リソース