单晶硅晶棒的原位热处理方法

本发明涉及一种单晶硅晶棒的原位热处理方法。所述单晶硅晶棒的原位热处理方法包括如下步骤：提供一结束生长的单晶硅晶棒，单晶硅晶棒位于单晶炉内；调整单晶硅晶棒的转速至第一转速，并调整主加热器的功率，使得单晶硅晶棒在650℃~950℃温度范围内保温一预设时间，第一转速低于单晶硅晶棒生长过程中的转速；调整单晶硅晶棒的转速至第二转速，并向上提拉单晶硅晶棒，降低单晶硅晶棒的温度至650℃，第二转速大于第一转速。本发明通过控制单晶硅晶棒的温度保持在650℃~950℃温度范围内保温时间以及在650℃~950℃温度范围内的冷却降温速率，实现对氧析出相尺寸和密度的精准调控。