一种用于晶圆清洗的表面烘干控制方法、装置及设备

本申请提供了一种用于晶圆清洗的表面烘干控制方法、装置及设备，属于半导体制造技术领域。该方法包括响应于基于射流控制参数组下发的射流启动指令，获取在射流撞击晶圆表面的预设时间窗口内的晶圆表面多维数据；基于晶圆表面多维数据，确定晶圆表面是否存在待烘干水渍。若是，确定待烘干水渍的水渍厚度及定位网格信息，以匹配目标氮气喷嘴组并确定其对应的靶向控制参数组；基于实时采集的晶圆转角信息、定位网格信息及目标氮气喷嘴组，生成相应的氮气喷射指令，以控制目标氮气喷嘴组按靶向控制参数组执行靶向氮气喷射；根据执行靶向氮气喷射后的晶圆表面多维数据，确定相应的烘干残留检测结果，以基于烘干残留检测结果判断表面烘干是否完成。