一种晶圆烘干控制方法、设备及介质

本申请公开了一种晶圆烘干控制方法、设备及介质，涉及半导体制造领域，方法包括：采集晶圆表面状态数据、温度分布数据和气流状态数据构建多模态状态特征；分析晶圆表面干燥均匀度变化趋势、温度场稳定性指标和气流分布均匀性生成工艺健康度评估结果；迭代求解晶圆烘干控制系统的最优控制参数组合，动态生成控制动作指令并转换为晶圆烘干控制系统可执行的驱动信号，通过分布式驱动电路控制加热装置的分区加热单元、变频风机的转速调节机构和多路阀门的开度执行器；在烘干过程中监测晶圆烘干控制系统中各执行机构的实际运行状态，比对监测数据与预期状态，在检测到状态偏差时触发控制参数更新。