一种基于X射线形貌术的半导体材料微管检测方法及系统

本发明涉及半导体材料缺陷检测技术领域，提供了一种基于X射线形貌术的半导体材料微管检测方法及系统，包括：获取对半导体材料样品进行X射线成像得到的形貌图；对于形貌图，进行二分类，得到是否含微管的分类结果；若形貌图中含微管，则对形貌图进行图像分割，得到微管掩膜，对微管掩膜进行连通域过滤和形态学处理，得到微管连通域，并将连通域的像素面积转换为物理面积，得到微管总面积；其中，对半导体材料样品进行X射线成像时，依据X射线衍射的相位条件，确定半导体材料样品的衍射几何后，进行半导体材料样品台自转扫描和摇摆曲线扫描，并通过调整摇摆角度补偿晶面弯曲。能准确的得到微管缺陷在晶圆内部的影响范围。