一种快速获取膜层窄谱刻蚀参数的方法

本发明提供一种快速获取膜层窄谱刻蚀参数的方法，涉及半导体技术领域。该方法包括获取步、全谱刻蚀参数设定步、主调试步和窄谱刻蚀参数设定步，其中，获取步：获取待测膜层的膜厚和特征元素；全谱刻蚀参数设定步：根据膜厚和特征元素设定对待测膜层进行全谱测试的全谱刻蚀参数；主调试步：调试全谱刻蚀参数，直至对待测膜层进行全谱测试得到的全谱测试结果能够达到目标测试需求；窄谱刻蚀参数设定步：将最终的全谱刻蚀参数作为对待测膜层进行窄谱测试的窄谱刻蚀参数。该方法能够低成本、快速、便捷地得到待测膜层的窄谱刻蚀参数。