金属碳化物修饰型气敏材料及制备方法和应用

本发明涉及金属碳化物修饰型气敏材料及制备方法和应用，涉及半导体金属氧化物气敏材料领域。该金属碳化物修饰型气敏材料MC/M′O包括：金属碳化物MC和气敏材料M′O，MC与MC/M′O的质量比为（0.5‑7）：100。该金属碳化物修饰型气敏材料MC/M′O中MC的主晶面原子排列与贵金属Pt类似，使其具有类Pt的催化性能，同时，该MC/M′O半导体材料不仅增强了M′O与目标气体之间的电子传输能力和还增强了M′O与目标气体的吸附/脱附能力，以此为基础制备得到的氢气传感器在灵敏度、响应/恢复时间、长期稳定性方面及成本方面具有明显的优势。