晶片在线监测方法、装置及半导体加工设备

本发明提供了一种晶片在线监测方法、装置及半导体加工设备，涉及半导体制造技术领域，为解决晶片在反应腔室出现异常而无法及时发现，导致对反应腔室造成二次损伤的问题而设计。该晶片在线监测方法包括：获取声发射传感器采集到的声发射信号；基于声发射信号判断反应腔室内的晶片是否存在状态异常问题；其中，状态异常问题包括异常摩擦或飞片问题；若晶片存在异常摩擦或飞片问题，控制托盘脱离高速旋转状态。本发明可以在晶片出现异常时及时干预，以防对反应腔室造成二次损伤。