一种基于尺寸效应的GaN HEMT器件寿命预测方法及装置

本发明公开了一种基于尺寸效应的GaN HEMT器件寿命预测方法，由于微波放大器的功率量级不断增大，所使用的GaN HEMT器件栅宽也随之不断增大，研究发现，栅宽与GaN HEMT器件材料缺陷数量正相关，即栅宽越大器件材料缺陷数量越多，且基于最弱链理论可知GaN HEMT器件材料缺陷数量与其失效率呈指数级正相关；且在给定的工作温度下，GaN HEMT器件寿命随着栅宽尺寸的增大而减小，故提出基于尺寸效应的GaN HEMT器件寿命预测模型，以合理量化尺寸效应对GaN HEMT器件失效率与寿命的影响。最后，基于三种不同栅宽尺寸的GaN HEMT器件加速寿命试验数据进行模型验证与对比，结果表明基于尺寸效应的GaN HEMT器件寿命预测新模型相较于传统的Arrhenius模型预测精度显著更高。