一种宽能区中子周围剂量当量监测方法及装置

本发明涉及中子剂量监测领域，具体为一种宽能区中子周围剂量当量监测方法及装置；所述装置包括外层慢化体、热中子吸收层、高能中子补偿层以及内层慢化体；其中，所述高能中子补偿层由能够与超高能中子发生显著中子倍增反应的重金属材料构成；所述热中子探测器为耐辐射的固态半导体探测器，其包含一个碳化硅半导体基底和一个紧贴其表面的富集Li的氟化锂热中子转换体；所述装置内部署有用于采集不同慢化程度下热中子注量信息的初始热中子探测器组；基于初始热中子探测器组，进行位置优化和权重系数输出，选择第一深度次序的多组热中子探测器，使总剂量响应在宽能区平坦进行剂量当量监测。