III-V族与硅基波导键合耦合结构设计方法及激光器

本发明提供一种III‑V族与硅基波导键合耦合结构设计方法及激光器，通过确定III‑V族激光器与硅基波导耦合区域的初始几何参数；基于工艺历史数据确定最大工艺对准偏差范围；以初始几何参数为基础建立三维仿真模型，在仿真环境中按照最大工艺对准偏差范围对硅基波导在键合平面中的位置进行偏移修正；计算偏移修正后的耦合效率，当耦合效率下降超过预设阈值时，对硅基波导的宽度和过渡区长度进行迭代优化调整；重复执行偏移修正和优化调整，直至在所有预设工艺偏差条件下耦合效率均满足设计要求，输出耦合结构设计参数，本发明通过结合工艺最大偏差重新微调具有最佳耦合效率的硅基波导结构，从而得到对工艺偏差具有鲁棒性的耦合区设计。