一种针对GeTe基相变光调制器的快速成型制备方法

本发明公开了一种针对GeTe基相变光调制器的快速成型制备方法。本发明将GeTe材料作为相变层的同时，也将其作为光刻胶，通过对GeTe材料的曝光和显影处理，同步完成了相变材料层的图案化处理，简化了工艺流程，无需传统涂胶、剥离步骤；减少了光刻胶层的涂胶烘烤等步骤，减少了整体器件的温度累积对相变层的破坏，并提升了整体结构精度、改善了偏振敏感性。同时，针对GeTe材料作为相变层和光刻层进行制备工艺的优化，实现最小cd为200nm的高精度图形转移。