获取掩膜版补偿CD偏差的方法、掩膜版及刻蚀图形

本发明提供了一种获取掩膜版补偿CD偏差的方法、掩膜版及刻蚀图形，属半导体领域。该获取掩膜版补偿CD偏差的方法包括提供一离子注入层。基于第一距离和第二距离的实际测量值与偏差，建立测试图形的偏差随第一距离和第二距离变化的曲线；获取目标图形在有源区和隔离区的第一距离和第二距离的实际测量值；基于所述变化的曲线和目标图形的第一距离和第二距离的实际测量值，获取目标图形的掩膜版的CD偏差值。本发明通过将偏移量补偿到实际的掩膜版的设计尺寸中，在实际产品中掩膜版曝光后，能够提高光刻胶临界线宽CD的准确度，改善光刻胶崩塌的现象。